用烧结的钽块作正*,电解质使用固体二氧化锰。温度特性、频率特性和牢靠性均优于一般电解电容器,特别是漏电流*小,贮存性杰出,寿命长,容量误差小,并且体积小,单位体积下能得到大的电容电压乘积。
钽电解电容器:
用烧结的钽块作正*,电解质使用固体二氧化锰。温度特性、频率特性和牢靠性均优于一般电解电容器,特别是漏电流*小,贮存性杰出,寿命长,容量误差小,并且体积小,单位体积下能得到大的电容电压乘积。其对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状况。常应用于超小型高牢靠机件中。
独石电容器:
在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电*桨资料,叠合后一次绕结成一块不可分割的全体,外面再用树脂包封而成。是一种小体积、大容量、高牢靠和耐高温的新型电容器。高介电常数的低频独石电容器也具有安稳的功能,体积小,容量误差较大。一般是用两条铝箔作为电*,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。制作工艺简略,价格便宜,能得到较大的电容量。
陶瓷电容器:
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电*制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高安稳振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在作业频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对安稳性和损耗要求不高的场合〈包含高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器:
适用于高频电路云母电容器,就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电*为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了空气空隙,温度系数大为下降,电容安稳性也比箔片式高。频率特性好,电荷量值高,温度系数小,不能做成大的容量。广泛应用在高频电器中,并可用作规范电容器。
玻璃釉电容器:
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电*经烧结而成"独石"结构,功能可与云母电容器比美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下作业,额定作业电压可达500V。